Negli ultimi due decenni, la domanda di wafer è aumentata esponenzialmente a causa della crescita della produzione e della vendita di sistemi fotovoltaici. L'aumento delle dimensioni dei wafer consente di produrre un maggior numero di dispositivi a semiconduttore da un singolo wafer, migliorando la produttività e l'efficienza. Grazie ai progressi tecnologici, attualmente M2, G1, M4, M6, M10 e M12 sono le diverse dimensioni di wafer utilizzate nella produzione di celle solari. In questo articolo, proseguendo il discorso iniziato la settimana scorsa, ci concentreremo sulla cella G1.
Alcuni produttori hanno già avviato la produzione di celle solari da 158,75 mm x 158,75 mm. Uno dei motivi per cui i wafer quadrati da 158,75 mm stanno attirando sempre più attenzione è che le dimensioni dei moduli sono simili a quelle dei moduli standard a 60 e 72 celle del passato, consentendo l'installazione e il mantenimento delle apparecchiature di produzione esistenti.
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Proprietà |
Specifiche |
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Metodo di crescita |
CZ |
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Cristallino |
Monocristallino |
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Tipo di conduttività |
Tipo P |
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Dopante |
Boro, Gallio |
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concentrazione di ossigeno [Oi] |
≦ 8E+17 at/cm 3 |
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Concentrazione di carbonio [Cs] |
≦ 5E+16 at/cm 3 |
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Densità di pitting (densità di dislocazioni) |
≦ 500 cm -3 |
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Orientamento della superficie |
<100&±3° |
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Orientamento dei lati dello pseudo quadrato |
<010&,<001&±3° |
ii. Proprietà elettriche
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Proprietà |
Specifiche |
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Resistenza |
0,5-1,5 Ω.cm |
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MCLT (durata a vita del titolare di una licenza di guida per minoranze) |
≧ 50 μs |
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Proprietà |
Specifiche |
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Geometria |
Quadrato pieno |
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Lunghezza laterale del wafer |
158,75±0,25 mm |
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Diametro del wafer |
φ223±0,25 mm |
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angolo tra lati adiacenti |
90° ± 0,2° |
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Spessore |
180 ﹢ 20/﹣10 µm; 170﹢ 20/﹣10 µm |
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TTV (Variazione totale dello spessore) |
≤ 27 µm |
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Proprietà |
Specifiche |
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Metodo di taglio |
DW |
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Qualità della superficie |
Come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile, (olio o grasso, impronte digitali, sapone Non sono ammesse macchie, macchie di pasta abrasiva o macchie di resina epossidica/colla. |
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segni di sega / gradini |
≤ 15µm |
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Arco |
≤ 40 µm |
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Ordito |
≤ 40 µm |
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Chip |
Profondità ≤0,3 mm e lunghezza ≤0,5 mm. Massimo 2 pezzi; no V-chip |
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Microfratture/fori |
Vietato |
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