io. Proprietà dei materiali:
Proprietà |
Specifica |
Metodo di crescita |
CZ |
Cristallinità |
Monocristallino |
Tipo di conducibilità |
Tipo N |
drogante |
Fosforo |
Concentrazione di ossigeno[Oi] |
≦ 8E+17 at/cm 3 |
Concentrazione di carbonio [Cs] |
≦ 5E+16 at/cm 3 |
Densità del pozzo di incisione (densità di dislocazione) |
≦ 500 cm -3 |
Orientamento della superficie |
<100±3° |
Orientamento dei lati pseudo quadrati |
<010&,<001&±3° |
ii. Proprietà elettriche
Proprietà |
Specifica |
Resistività |
0,2-2,0 Ω.cm 0,5-3,5 Ω.cm 1,0-7,0 Ω.cm 1,5-12 Ω.cm Altra resistività |
MCLT (durata del vettore di minoranza) |
≧
1000 μs (resistività e 1 Ωcm)
|
iii. Proprietà fisiche
Proprietà |
Specifica |
Geometria |
Pseudo quadrato |
Forma del bordo smussato |
Girare |
Dimensione del wafer (Lunghezza lato*lunghezza lato*diametro |
M0: 156*156*ϕ210 mm M1: 156,75*156,75* ϕ205 mm M2: 156,75*156,75* ϕ210 mm |
Angolo tra lati adiacenti |
90±3° |
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